设备简介 该设备用掩模板掩模,通过紫外线照射涂敷于玻璃基板上的光刻胶,使掩模板没有图形遮蔽的部分被紫外光照而改性,再通过显影得到所需的电路图形。曝光机是黄光制程的关键设备,其对准精度、曝光均匀性等很大程度上决定了黄光制...
设备简介 该黄光区设备包括基片清洗机、匀胶机、热台、曝光机、显影机、洁净烘箱、HMDS烘箱等设备,用于完成基片清洗、烘干、基板增黏剂处理、光刻胶涂布、烤胶、曝光、显影等黄光工艺制程。 Photo Process Equipments includi...
设备简介 该设备使用磁控溅射原理进行薄膜沉积,设备配置3套射频电源和1套脉冲直流电源,在溅射腔室内配置多个靶材位,除可以进行一般单靶材直流、脉冲直流和射频溅射外,还可以实现多元共溅射、反应溅射等功能,可方便地实现多元掺杂...
设备简介 该系统由半导体信号分析仪和电磁屏蔽探针台组成,用于对TFT器件的电学信号参数进行精确测量和分析。 主要技术参数: 最小可测试电极大小:1µm*1µm 电压测试: 范围:±100V 精度:±100µV 电流测试: 范围:...
设备简介 扫描电镜是以电子束作为光源,电子束在加速电压的作用下经过三级电磁透镜,在末级透镜上部扫描线圈的作用下,在试样表面做光栅状扫描,产生各种同试样性质有关的物理信息(如二次电子,背反射电子),然后加以收集和处理,从...
设备简介 进口等离子增强化学气相沉积机,使用气体(或者蒸气)作为反应源,反应生成沉积于基底上的固态薄膜。设备使用RF或者AC放电使反应腔体内充满由反应气体电解产生的等离子体,由于等离子体内正离子、电子和中性反应分子相互碰撞...
设备简介 进口电感耦合等离子体干法刻蚀设备,通过将带电的反应气体离子加速撞击待刻蚀薄膜,可以获得较快的反应速率和反应产物脱附速率,从而获取较高的刻蚀速率,并实现各向异性刻蚀。通过上下两个电极,可分别控制等离子体的密度和...
设备简介 我单位自行设计的湿法工艺设备,主要用于光刻胶脱膜和薄膜刻蚀工艺中,有酸刻蚀、碱刻蚀、脱膜、QDR三类共12个工位。酸碱刻蚀工位可使用常规酸碱刻蚀液对金属、ITO等薄膜进行图案化;脱膜工位可使用脱膜液、丙酮等化学试剂,...
设备简介 进口物理气相沉积机,该设备使用磁控溅射原理进行薄膜沉积,电子在电场作用下与氩原子碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,某些表面附近的靶...
设备简介 反应离子刻蚀(RIE)是干蚀刻的一种,该设备在刻蚀腔室设置RF平板电极,使刻蚀气体形成离子层,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻。该设备可通过对真空度、气体种类、混合比、离子加速电压等的调整,控制物理刻蚀和化学刻...
设备简介 用于制备OLED发光器件及封装。可在高真空环境下将有机材料、金属化合物材料、金属材料等加热蒸发,其蒸气通过高精度Mask的孔隙沉积到玻璃基板上,形成图案化的均匀纳米级薄膜。该系统设置有上片单元、预处理单元、2个有机蒸...
设备简介 我单位自行设计的湿法工艺设备,主要用于光刻胶脱膜和lift-off中,共有6个工位。各工位均具备金属薄膜超声波lift-off图形化、光刻胶脱膜、清洗的功能。 基本技术参数 基板尺寸:200mm*200mm 批次数量:5片/批 超声功...