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物理气相沉积机Physical Vapor Deposition (PVD)

时间:2015-09-01 09:44      发布人:admin      阅读:157

物理气相沉积1

设备简介

进口物理气相沉积机,该设备使用磁控溅射原理进行薄膜沉积,电子在电场作用下与氩原子碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量,离开靶被溅射出来。在溅射粒子中,中性的靶原子或分子沉积在基片上形成薄膜,而产生的二次电子会受到电场和磁场作用,电离出大量的Ar 来轰击靶材,从而实现了高速沉积。因为沉积过程中所传递给基片的能量很小,基片温升较低。

 

基本技术参数

基板尺寸:200mm*200mm

工艺腔室:ITO、氧化物半导体(IGZO)、金属共3个腔室

极限真空:5.0*10-5Pa

基板温度:RT~300℃(±10℃)

膜厚均匀性:优于5%