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RIE干法刻蚀机 RIE Dry Etching Machine

时间:2014-11-25 11:10      发布人:廖燕菲      阅读:171

RIE干法刻蚀设备

设备简介

反应离子刻蚀(RIE)是干蚀刻的一种,该设备在刻蚀腔室设置RF平板电极,使刻蚀气体形成离子层,离子高速撞击试样而完成化学反应蚀刻。该设备可通过对真空度、气体种类、混合比、离子加速电压等的调整,控制物理刻蚀和化学刻蚀的占比和气体分子撞击待刻蚀薄膜的速率,调节刻蚀的速率、选择比和轮廓角。主要用于SiOx、SiNx等介电层,a-Si、p-Si等半导体薄膜的刻蚀。另外还可用于对光刻胶进行灰化处理,去除残胶等。

 

基本技术参数

可刻蚀薄膜及其速率:SiOx(>80nm/min);SiNx(>150nm/min); a-Si(>150nm/min); p-Si(>100nm/min)

刻蚀气体:CHF3, CF4, O2, He, SF6, CH4, Ar

基片夹持系统:静电吸附/He背冷

基板温度均匀性:±5℃

刻蚀形貌:正梯形,形貌角可控

刻蚀均匀性:优于7%

终点监测:等离子光谱分析