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等离子增强化学气相沉积机 PLASMA Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)

时间:2015-11-25 10:21      发布人:廖燕菲      阅读:252

等离子增强化学气相沉积设备

设备简介

进口等离子增强化学气相沉积机,使用气体(或者蒸气)作为反应源,反应生成沉积于基底上的固态薄膜。设备使用RF或者AC放电使反应腔体内充满由反应气体电解产生的等离子体,由于等离子体内正离子、电子和中性反应分子相互碰撞剧烈,可大大降低反应温度。主要用于a-Si,SiOx,SiNx薄膜的制备。

 

 

基本技术参数

基板尺寸:200mm*200mm

基板温度:RT~400℃(±2 ℃)

工艺气体:SiH4,H2,PH3,NH3,N2O,CF4

薄膜均匀性:优于5%