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ICP干法刻蚀机 ICP Dry Etching Machine

时间:2015-11-25 10:15      发布人:廖燕菲      阅读:183

ICP干法刻蚀设备2

设备简介

进口电感耦合等离子体干法刻蚀设备,通过将带电的反应气体离子加速撞击待刻蚀薄膜,可以获得较快的反应速率和反应产物脱附速率,从而获取较高的刻蚀速率,并实现各向异性刻蚀。通过上下两个电极,可分别控制等离子体的密度和能量,达到最优化的刻蚀参数组合。主要用于刻蚀SiO2、SiNx等介电薄膜及Al、Mo等金属薄膜。

 

基本技术参数

基板尺寸:200mm*200mm

工作方式:ICP或CCP

等离子体密度:>1011cm-3

工作温度:<500℃

工艺气体:Ar,O2,SF6,CHF3,CF4,C3F8,C4F8,Cl2

刻蚀均匀性:优于10%